为了遏制中国芯片产业的发展，美国通过修改规则限制荷兰ASML、日本东京电子等芯片设备厂商对华出货。在这种情况下，中国芯片厂商要投产先进芯片，必须解决关键设备的供应难题。
国产设备替代成为重要任务。今年上半年，深圳新凯来公司在半导体设备展会上展示了多款国产化设备，涵盖芯片刻蚀、光刻、薄膜沉积等工艺。近期，长江存储宣布将使用纯国产设备投产，打破欧美在设备领域的长期垄断。虽然部分国产设备起步较晚，性能上还不够先进，但已经基本能够覆盖14纳米及以上的成熟制程工艺。外部半导体设备进货渠道受限也加快了国产设备的商用化进程。晶圆厂因担忧外部环境恶化，主动加深与国产设备厂商的沟通交流，加快了设备迭代与优化。
长江存储将在今年下半年试生产首条基于国产化设备的晶圆生产线。此前，美方政府将福建晋华、长江存储等企业列入“实体清单”，限制荷兰、美国和日本的半导体设备厂商继续提供技术服务。当时，长江存储董事长公开呼吁，若ASML无法确保设备售后及使用，应按采购价格回购设备。ASML光刻设备服务断供对长江存储影响巨大。
长江存储早在2022年就实现了232层堆叠的3D NAND芯片，领先韩国三星和美国美光科技。如果不是美方打压，国产存储芯片可能早已抢占高端市场。因此，长江存储决心打造国产芯片制造产线。在全球市场对存储芯片需求不断上涨的情况下，长江存储联合多家国产设备供应商，通过研发调试实现首条全国产化生产线建设。目前，长存的设备平均国产化率达到45%，超过中芯国际和长鑫存储等知名半导体公司。
对于存储芯片而言，芯片制程工艺精度要求相对较低，国产化的14纳米、28纳米产线可以生产性能稳定的存储芯片。加上国内庞大的市场需求，未来销售不是问题。国产光刻机已传出28纳米设备投产的消息，经过市场验证后大规模投产是可能的。中科院等科研院所加入技术攻关，进一步推动国产化进程。一旦国产化产线正式投产并输出大量国产存储芯片，美国芯片管制的影响将被削弱。这种集产销、研发一体化的运作模式，远超西方企业。
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